Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

SAMSUNG
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Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos


 
Ancho
80,2 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Tipo de embalaje
Caja
SDD, capacidad
4 TB
Peso
30 g
Factor de forma de disco SSD
M.2
Golpes en funcionamiento
1500 G
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Periodo de garantía
5 año(s)
Interfaz
PCI Express 5.0
Componente para
PC/Consola de videojuegos
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Versión NVMe
2.0
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)
9 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
8,2 W
HD34651220
8806095811659
MZ-VAP4T0CW
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