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Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

SAMSUNG
Fuera de stock
520,24 €

Incluyendo 3,00 € para la ecotasa

Impuestos incluidos
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos


 
Ancho
80,2 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Tipo de embalaje
Caja
SDD, capacidad
4 TB
NVMe
Si
Peso
9 g
Factor de forma de disco SSD
M.2
Golpes en funcionamiento
1500 G
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Periodo de garantía
5 año(s)
Interfaz
PCI Express 5.0
Componente para
PC/Consola de videojuegos
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Encriptación de hardware
Si
Versión NVMe
2.0
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Función DevSleep
Si
Soporte TRIM
Si
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)
9 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
8,2 W
HD34651219
8806095811703
MZ-VAP4T0BW
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