Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SAMSUNG
Fuera de stock
488,43 €

Incluyendo 3,00 € para la ecotasa

Impuestos incluidos
Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

 
Ancho
80,2 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
SDD, capacidad
4 TB
Peso
9 g
Factor de forma de disco SSD
M.2
Golpes en funcionamiento
1500 G
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Interfaz
PCI Express 4.0
Componente para
PC
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Consumo de energía (espera)
0,06 W
Consumo de energía (lectura)
5,5 W
Consumo de energía (escritura)
4,8 W
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Velocidad de lectura
7250 MB/s
Velocidad de escritura
6300 MB/s
Versión NVMe
2.0
Lectura aleatoria (4KB)
1050000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
1400000 IOPS
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
5 mW
HD34651201
8806095575667
MZ-V9S4T0BW
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