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Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
SAMSUNG
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Impuestos incluidos
Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
- Ancho
- 80,2 mm
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- SDD, capacidad
- 4 TB
- Peso
- 9 g
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- Componente para
- PC
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Consumo de energía (espera)
- 0,06 W
- Consumo de energía (lectura)
- 5,5 W
- Consumo de energía (escritura)
- 4,8 W
- Tipo de memoria
- V-NAND TLC
- Velocidad de lectura
- 7250 MB/s
- Velocidad de escritura
- 6300 MB/s
- Versión NVMe
- 2.0
- Lectura aleatoria (4KB)
- 1050000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1400000 IOPS
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
- 5 mW
HD34651201
8806095575667
MZ-V9S4T0BW
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