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Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SAMSUNG
260,55 €

Incluyendo 1,50 € para la ecotasa

Impuestos incluidos
Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

 
Ancho
80,2 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
SDD, capacidad
1 TB
NVMe
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Peso
9 g
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Interfaz
PCI Express 4.0
Golpes en funcionamiento
1500 G
Componente para
PC
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Velocidad de lectura
7150 MB/s
Velocidad de escritura
6300 MB/s
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Encriptación de hardware
Si
Versión NVMe
2.0
Lectura aleatoria (4KB)
850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
1350000 IOPS
Función DevSleep
Si
Soporte TRIM
Si
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)
4,3 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
4,2 W
HD34651192
9 Artículos
8806095575674
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