Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

SAMSUNG
282,11 €

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Impostos inclosos
Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos

 
Ancho
80,2 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Tipo de embalaje
Caja
SDD, capacidad
1 TB
Peso
9 g
Factor de forma de disco SSD
M.2
Golpes en funcionamiento
1500 G
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Periodo de garantía
5 año(s)
Interfaz
PCI Express 5.0
Componente para
PC/Consola de videojuegos
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Consumo de energía (espera)
0,004 W
Consumo de energía (lectura)
7,6 W
Consumo de energía (escritura)
7,2 W
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Velocidad de lectura
14700 MB/s
Velocidad de escritura
13300 MB/s
Versión NVMe
2.0
Lectura aleatoria (4KB)
1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)
7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
7,2 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
3,3 mW
HD34651215
19 Elements
8806095811628
MZ-VAP1T0BW
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