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Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
SAMSUNG
323,03 €
Inclou 1,50 € d'ecotaxa
Impostos inclosos
Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
- Ancho
- 80,2 mm
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Peso
- 9 g
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- Componente para
- PC
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Consumo de energía (espera)
- 0,06 W
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Consumo de energía (lectura)
- 4,3 W
- Consumo de energía (escritura)
- 4,2 W
- Tipo de memoria
- V-NAND TLC
- SDD, capacidad
- 1 TB
- Velocidad de lectura
- 7150 MB/s
- Velocidad de escritura
- 6300 MB/s
- Versión NVMe
- 2.0
- Lectura aleatoria (4KB)
- 850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1350000 IOPS
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
- 5 mW
- Consumo eléctrico promedio (lectura)
- 4,3 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura)
- 4,2 W
HD34651192
32 Elements
8806095575674
MZ-V9S1T0BW
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